ご存知のようにSEPP回路における動作は上の段がカソードフォロアのためゲインは1倍。また下の段はプレートフォロワとなっているため、ゲインはそれなりに発生すると言われてました。

そこでこのアンバランスを打ち消すべく上の段にはブートストラップという正帰還を掛け、場合によっては下の段に負帰還を掛けたりしているわけです。


　　　　　　　　　


しかし本当にそれほど上下でゲインの差があるのでしょうか。というのも真空管OTLは電源電圧の利用効率が非常に悪く、ほとんど最大電流のためだけに無駄な電圧のかさ上げをしているからです。

例えば８オームで１０W出すには本来電源に４０V（±２０V）もあれば充分な一方、その程度のプレート電圧では真空管に充分な電流が流れません。

またこの状態で猛烈なミスマッチングの負荷をつないでいることにより、ロードラインはほとんど垂直な線となり、電圧利得（ゲイン）はあまり発生しないのではないかと予測できるわけです。そこで特性カーブからゲインを観測することにしました。

使用する球は１２GB３Aの４本パラレル動作を前提にすると、８Ω負荷では３０Ωのロードラインになります。


　　　　　　　　　　　


上の図によると入力電圧４５Vの時に出力２４V、つまりプレートフォロワ側であっても出力段のゲインは１倍以上にならず、０,５３倍しか無かったことがわかります。

一方カソードフォロワ側を見ると、相互コンダクタンスの値より出力インピーダンスを５０Ωとすれば、３０Ω負荷に対する仕上がりの増幅度は０,３７倍となり、その違いは１,４３倍になります。


　　　　　　　　　　


つまり今まで定番のように言われてきた、カソードフォロワー側のゲイン＝1倍や、プレートフォロア側のゲインが数倍といった解説は、低負荷真空管OTLと高負荷真空管OTLを混同してしまった人々の間違いだったわけです。

それはともかく、この程度の差であれば下段に若干のNFBを掛けるだけで済むような気がしますし、場合よっては初段の２次歪が修正してくれるかもしれません。


　　　


早速実験のためバラックセットで測定してみます。といっても実際はカーブトレーサー用に自作した特性カーブアダプターを使い、可変プレート電源は内蔵されているｇ２用定電圧電源を流用しました。簡易実験回路は下の様になります。


　　　　　


この回路で信号を１０V入力すれば５,５Vほどが出力されるはずなのに、バイアス電圧ー４５Ｖ時、何度測りなおしても２,５V弱しか出てきません。

つまりゲインが０,２５倍というわけですが、これは一体どういう事でしょうか。その原因を探る手段として、次の４段階を順番に確認してゆきます。

�@入力電圧がバイアス電圧の、どの範囲（場所）で動作しているかを、大まかに分割する。

�A分割された動作範囲の違いによって、ｇｍ変化はどう変化するか。

�Bｇｍの変化により起きる内部抵抗、つまり出力インピーダンスの違いを見る。

�C出力インピーダンスの違いで、ゲインはどのように変化するか。


そこで特性カーブから入力レベル状況ごとのゲインを出し、実際のアンプにおける動作状態をを分析することにしました。


つづく






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